窒素・ホウ素コドープ技術を用いた、低コストかつ安定な低抵抗4H-SiC単結晶成長技術

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低コスト製造法を実現する窒素・ホウ素コドープ低抵抗４H-SiC結晶成長技術開発

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【基礎講座】Siに換わる注目素材｜SiC・GaN半導体をわかりやすく解説！！【サンケン電気】

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TRiSTARフェロー紹介 第1期フェロー 奥村 宏典 Hironori Okumura | 超ワイドギャップ半導体の結晶成長と電気・光素子作製

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パワーデバイス単結晶基板結晶面反りの3D可視化

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30 分間の驚異的な連続生産機械とこれまでで最も尊敬すべき労働者 ▶23

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チップICをはんだ付けしてみよう！【技術・開発】

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『狭ピッチICのはんだ付』1から学べるはんだ付⑥

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シリコンは半導体の材料

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農工大/トクヤマ記者会見Vol.3 「AlN結晶成長の基礎技術と研究経緯」

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CEATEC2022 パワー半導体関連一気にレビュー\u0026若返ったCEATECに好感 週刊パワエレ・ダイジェスト(Vol.33 2022.10.26)

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【アドバンストコース】A09：パワーモジュールのサーマルマネジメント（第1章）

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【2分で分かるCKD製品】窒素ガス精製ユニット編（FOOMA JAPAN 2024）

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【最先端】救世主か絵に描いた餅か？SiCのメリットデメリット【パワー半導体】【バンド理論】

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半導体シリコンと金属シリコン？

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Scribing SiC Bare Wafer　SiCベア基板のスクライブ

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次世代パワー半導体材料　#Shorts

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【研削盤（硬脆材料・化合物半導体・複合材料）ウェーハ】SiCとAl2O3の研削データ ➡ ①動画前半は、結晶方位の角度誤差補正をして±0.02度。②動画後半に、表面粗さを表示。Model R631DF

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永久帯電防止剤『ペレスタット・ぺレクトロン』

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(5)次世代パワー半導体の新製品発表から読み解く最新動向 (SiC、GaN、酸化ガリウム) 【パワエレ業界研究で就活に！パワー半導体の最新開発技術トレンドと市場動向(第５回)】21/09/15

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【次世代パワー半導体】SiCパワー半導体がなぜ使われるようになったのか解説【シリコンカーバイド】#シリーズ半導体

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【超重要】日本がカギを握る最先端半導体材料High-k膜とは何か？【MOSFET】【誘電体】

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研究開発　バルクSiC基板に形成したSi空孔欠陥の観測

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パワーデバイスの欠陥評価技術　実験室系XRDによる単結晶基板結晶面湾曲の３D可視化技術

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【アドバンストコース】A04：Si，SiC，GaN等の結晶とウエハ（第1章）

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【BC/C型】ポイントはんだに使う

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