研究開発　バルクSiC基板に形成したSi空孔欠陥の観測

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GaN／Siパワー半導体に形成される結晶欠陥のTEMによる構造解析

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パワーデバイスの欠陥評価技術　実験室系XRDによる単結晶基板結晶面湾曲の３D可視化技術

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窒素・ホウ素コドープ技術を用いた、低コストかつ安定な低抵抗4H-SiC単結晶成長技術

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計算科学　半導体結晶における点欠陥濃度の理論解析手法開発

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低コスト製造法を実現する窒素・ホウ素コドープ低抵抗４H-SiC結晶成長技術開発

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持続可能社会に貢献するGaN/Siパワーデバイス​

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計算科学　複合アニオン化合物中のショットキー欠陥とヒドリド伝導

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【基礎講座】Siに換わる注目素材｜SiC・GaN半導体をわかりやすく解説！！【サンケン電気】

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「多結晶Si基板に直接成長した窒化物半導体ナノ柱状結晶群による省電力および大面積対応光電変換デバイスの開発」秋田大学　大学院　理工学研究科　数理・電気電子情報学専攻　准教授　佐藤 祐一

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SiC熱分解グラフェンの成長機構とナノヒエログリフ　Graphene growth mechanism and nano-Hieroglyph

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『難分析核種の高感度分析のための多色イオン化光源の開発』 坂本 哲夫　工学院大学 先進工学部 応用物理学科　教授

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「フォトルミ」フォトルミネッセンスイメージング測定装置

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富山県立大学 動画で見る県大　ランギガサイト系単結晶CNGASの育成

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【研削盤（硬脆材料・化合物半導体・複合材料）ウェーハ】SiCとAl2O3の研削データ ➡ ①動画前半は、結晶方位の角度誤差補正をして±0.02度。②動画後半に、表面粗さを表示。Model R631DF

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日本の半導体産業を『iQoM』が支える！？Vol.43

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