窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

(3:38)

Nitride Heterojunction Bipolar Transistor

(3:38)

次世代半導体を支える多元系窒化物ヘテロエピタキシー

(15:13)

【基礎電子工学ENG】004：半導体［ＢＪＴ（バイポーラトランジスタ）／ＰＮＰ接合／ＢＪＴの動作／ＢＪＴの特性／トランジスタのしくみ］

(11:23)

トランジスタの仕組みとは？

(7:34)

窒化物半導体による面発光型レーザダイオード

(3:1econd)

【知っておきたい】半導体製造の核心を握る“ある装置“とは？

(36:30)

VESTA を使用して六方晶窒化ホウ素 (hBN) 単層をモデル化する方法 [チュートリアル]

(10:1econd)

【工場見学】東芝のパワー半導体ファブに行ってきた！ MOSFET, IGBT

(19:1econd)

中国が開発した次世代パワー半導体を入手。その実力は？ Innoscience 【GaN 窒化ガリウム】

(17:48)

パワー半導体の「ゲートドライブ回路」の重要性と原理について解説 #シリーズ半導体

(28:47)

最新の研削盤（岡本工作機械製作所) / The latest grinding machine（Okamoto Machine Tool Works)

(12:58)

今なら死んでもいい。 - インテル ファブ ツアー!

(21:51)

【191J/㎤】大容量のコンデンサを実現する技術が発見されました。

(8:12)

パワー半導体の種類と実用例を解説！パワー半導体が革新する産業とは？ #シリーズ半導体

(23:39)

これが次世代の半導体を支える「パッケージ技術」だ！

(32:18)

Circuit diagram of unstable vibrator with transistor トランジスタを使った無安定バイブレーター回路図

(14)

バイポーラトランジスタとIGBTを絶対に理解したい

(3:56)

トランジスタ徹底解説－トランジスタの仕組み

(18:20)

【基礎電子工学ENG】005：半導体［J-FET（接合型電界効果トランジスタ）／J-FETのしくみ／J-FETの特性］

(5:29)

③半導体および半導体デバイスの基礎(1/5)

(7:7)

③半導体および半導体デバイスの基礎(5/5)

(11:1econd)

まだまだ現役 パワー半導体「IGBT」とはなんですか？ → 間違って使うとこうなります！ 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。

(18:2)

2024/06/21 「5G基地局・EV用等の将来を担う凄い窒化物半導体とは ―窒素極性結晶が開く新たなトランジスタの展開―」末光哲也特任教授

(1:24:35)

③半導体および半導体デバイスの基礎(3/5)

(18:50)

窒化物半導体(AlN, GaN, InN) の格子定数とバンドギャップを調べる SpringerMaterials検索事例1.

(2:55)

電気回路でよく見るこの部品はなに? 半導体MOSFETについて解説します【パワー半導体】

(16:56)

半導体の基礎とpn接合(5/5)

(15:16)

【スイッチング特性(３/３)】Si Si BJT

(9:28)